高纯金属醇盐合成技术
项目概述：金属醇盐是制备纳米材料的前驱体，主要用于Sol-Gel工艺和VCD工艺制备铁电陶瓷薄膜、传感器材料、电容器材料、高温超导材料、纳米材料特种玻璃材料、计算机储存器材料等功能材料。这些材料是中国的新材料领域的重点开发项目。本技术开发的金属醇盐制备是应用电化学合成、化学物理提纯、分析检测、封装等技术。经过多年的研制，实现了金属醇盐特别是稀有金属的醇盐零突破。目前中国用Sol-Gel工艺制备铁电薄膜、压电薄膜功能材料、传感器薄膜材料正逐渐产业化、商品化，对高纯烷氧基化合物的需求预计可达到工业化生产规模；另外下一代计算机的存储器的开发已接近工业化水平，这使金属醇盐有更大的应用市场。
技术指标:烷氧基钽纯度：≥99.99％；有害元素Cl，Fe, Si, Zn, Cu杂质：≤50ppm；烷氧基铌纯度：≥99.99％；有害元素Cl，Fe, Si, Zn, Cu杂质：+≤100pm。纯烷氧基钛纯度：≥99.99％；有害元素Cl，Fe, Si, Zn, Cu杂质≤100pm；纯烷氧基锡纯度：≥99.99％；有害元素Cl，Fe, Si, Zn, Cu杂质≤100pm．
技术水平：
1. 采用＂电子＂作为反应试剂，高纯金属作为原料，该工艺和传统化学法相比，制备的金属醇盐纯度更高，特别是从合成路径上保证了不含有电子工业最头痛的Cl等元素，同时合成路径环保。
2. 可以方便合成化学法无法制备的稀有金属的醇盐。
投资规模及设备需求：预计需要投资300万，需要电解设备，分离设备，封装设备。
技术指标:烷氧基钽纯度：≥99.99％；有害元素Cl，Fe, Si, Zn, Cu杂质：≤50ppm；烷氧基铌纯度：≥99.99％；有害元素Cl，Fe, Si, Zn, Cu杂质：+≤100pm。纯烷氧基钛纯度：≥99.99％；有害元素Cl，Fe, Si, Zn, Cu杂质≤100pm；纯烷氧基锡纯度：≥99.99％；有害元素Cl，Fe, Si, Zn, Cu杂质≤100pm．
技术水平：
1. 采用＂电子＂作为反应试剂，高纯金属作为原料，该工艺和传统化学法相比，制备的金属醇盐纯度更高，特别是从合成路径上保证了不含有电子工业最头痛的Cl等元素，同时合成路径环保。
2. 可以方便合成化学法无法制备的稀有金属的醇盐。
投资规模及设备需求：预计需要投资300万，需要电解设备，分离设备，封装设备。
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