程迎春 博士 教授

教育背景

2001.09-2005.06：南京大学基础科教强化部，理学学士

2005.09-2010.06：南京大学物理系，理学博士

工作经历

2010.08-2014.09：沙特阿卜杜拉国王科技大学沙特阿卜杜拉国王科技大学 ，博士后 、项目研究员

2014.10-2015.09：美国伊利诺大学芝加哥分校，博士后

2015.10 至今：南京工业大学先进材料研究院，教授

研究方向

二维材料光、电自旋与能谷特性

奖励与荣誉

2016年江苏省高校“青蓝工程”中学术带头人

2017年江苏省特聘教授

2017 年江苏省“六大人才高峰”

主要学术成绩

单层 MoS2类半导体，因具有超薄的特性直接带隙、在可见光范围和较高电子迁移率成为近十年半导体领域重点关注的新型。另一方面，单层 MoS2类半导体具有强的自旋轨道类半导体具有强的自旋轨道耦合及破缺的结构反演对称性，从而具有自旋与能谷特性，在自旋电子学、能谷电子学及光电子学中具有重要的基础研究价值和实际应用潜力。如何调控自旋与能谷是将单层 MoS2类半导 体应用于新型自旋能谷器件利用理论计算方法研究缺陷调控、磁近邻和结构 的关键问题。利用理论计算方法研究缺陷调控、磁近邻和结构的关键问题。利用理论计算方法研究缺陷调控、磁近邻和结构调控自旋与能谷，以及相关的结构变为将 MoS2 等二维半导体应用于自旋能谷器件提供 了理论依据。

截止目前，在包括 Nature Nanotechnol.、 Nano Lett.、 ACS Nano、Adv. Funct. Mater.、 Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.和 Europhys. Lett.等国际著名学术期刊发表论文 等国际著名学术期刊发表论文 100余篇，余篇，h-index 36，他引 5000余次，其中6篇入选 ESI高被引论文。多篇论文被研究性论文如 Nature、Nature Nanotech.、Phys. Rev. Lett.，及权威综述如 Rev. Mod. Phys.和 Chem. Soc. Rev.等引用及评述。担任 Nature Nanotech.、Nature Comm.、ACS Nano等专业杂志的审稿人；受邀为施普林格出版社纳米等专业杂志的审稿人；受邀为施普林格出版社纳米科学与技术系列丛书（2014年 21期“MoS2 Materials, Physics, and Devices”）撰写了章节“MoS2: A First-Principles Perspective”；多次在国际内学术会议做邀请报告 ；担任Journal of Semiconductors第12届编辑委员会届编委 ；入选江苏省高校 “青蓝工程 ”中青年学术带头人 ，江苏省六大人才高峰计划，江苏省特聘教授。